casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V256SA15YG8
codice articolo del costruttore | 71V256SA15YG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V256SA15YG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V256SA15YG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V256SA15YG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V256SA15YG8-FT |
71V424S10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel