casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V256SA12YGI
codice articolo del costruttore | 71V256SA12YGI |
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Numero di parte futuro | FT-71V256SA12YGI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V256SA12YGI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V256SA12YGI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V256SA12YGI-FT |
71V424L12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel