casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V424S12YG
codice articolo del costruttore | 71V424S12YG |
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Numero di parte futuro | FT-71V424S12YG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V424S12YG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 36-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V424S12YG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V424S12YG-FT |
71V416S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc