casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V016SA12YG8
codice articolo del costruttore | 71V016SA12YG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V016SA12YG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V016SA12YG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V016SA12YG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V016SA12YG8-FT |
70V26S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel