casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71V124SA15YG8
codice articolo del costruttore | 71V124SA15YG8 |
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Numero di parte futuro | FT-71V124SA15YG8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V124SA15YG8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V124SA15YG8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71V124SA15YG8-FT |
7025S15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S17J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S17J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S30J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S30J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7025S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel