casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71016S20YG
codice articolo del costruttore | 71016S20YG |
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Numero di parte futuro | FT-71016S20YG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71016S20YG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71016S20YG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71016S20YG-FT |
70V26S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V26S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel