casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V658S10BC8
codice articolo del costruttore | 70V658S10BC8 |
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Numero di parte futuro | FT-70V658S10BC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V658S10BC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 2Mb (64K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V658S10BC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V658S10BC8-FT |
70T3599S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T631S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation