casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T633S12BC
codice articolo del costruttore | 70T633S12BC |
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Numero di parte futuro | FT-70T633S12BC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T633S12BC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S12BC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T633S12BC-FT |
IDT7164S35YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel