casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V639S12BCI
codice articolo del costruttore | 70V639S12BCI |
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Numero di parte futuro | FT-70V639S12BCI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V639S12BCI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 2.25Mb (128K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V639S12BCI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V639S12BCI-FT |
70V3319S166BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S4BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S4BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S4BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S6BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S6BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S4BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S4BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S5BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S5BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel