casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V3379S6BC8
codice articolo del costruttore | 70V3379S6BC8 |
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Numero di parte futuro | FT-70V3379S6BC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3379S6BC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 576Kb (32K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 6ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3379S6BC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V3379S6BC8-FT |
70T3519S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3399S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3599S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S10BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3539MS133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3319S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3319S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3319S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3319S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel