casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V3579S5BC
codice articolo del costruttore | 70V3579S5BC |
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Numero di parte futuro | FT-70V3579S5BC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3579S5BC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3579S5BC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V3579S5BC-FT |
70V3569S5BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S5BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S4BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel