casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70V3569S5BCI8
codice articolo del costruttore | 70V3569S5BCI8 |
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Numero di parte futuro | FT-70V3569S5BCI8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V3569S5BCI8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 576Kb (16K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.15V ~ 3.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V3569S5BCI8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70V3569S5BCI8-FT |
70T3339S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3339S200BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3399S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3399S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3399S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3399S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3399S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3399S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3509MS133BP
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3509MS133BPG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel