casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T3399S200BC
codice articolo del costruttore | 70T3399S200BC |
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Numero di parte futuro | FT-70T3399S200BC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3399S200BC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 18) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.4ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3399S200BC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T3399S200BC-FT |
IDT71256SA12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel