casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T659S10BCI8
codice articolo del costruttore | 70T659S10BCI8 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-70T659S10BCI8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T659S10BCI8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T659S10BCI8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T659S10BCI8-FT |
IDT71V256SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3319S133BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3509MS133BPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel