casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T3509MS133BPI
codice articolo del costruttore | 70T3509MS133BPI |
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Numero di parte futuro | FT-70T3509MS133BPI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3509MS133BPI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 4.2ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3509MS133BPI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T3509MS133BPI-FT |
7164S25YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel