casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T659S10BC8
codice articolo del costruttore | 70T659S10BC8 |
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Numero di parte futuro | FT-70T659S10BC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T659S10BC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T659S10BC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T659S10BC8-FT |
IDT71V256SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3319S133BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel