casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T659S10BC8
codice articolo del costruttore | 70T659S10BC8 |
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Numero di parte futuro | FT-70T659S10BC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T659S10BC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T659S10BC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T659S10BC8-FT |
IDT71V256SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V658S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3319S133BCGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T659S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel