casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71V256SA20YG
codice articolo del costruttore | IDT71V256SA20YG |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71V256SA20YG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V256SA20YG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V256SA20YG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71V256SA20YG-FT |
7164L25YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L25YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164L25YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164S20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7164S20YG8
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
7164S25YG8
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7164S25YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
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Intel