casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T653MS10BCG
codice articolo del costruttore | 70T653MS10BCG |
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Numero di parte futuro | FT-70T653MS10BCG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T653MS10BCG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T653MS10BCG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T653MS10BCG-FT |
IDT71V256SA12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel