casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T653MS10BC8
codice articolo del costruttore | 70T653MS10BC8 |
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Numero di parte futuro | FT-70T653MS10BC8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T653MS10BC8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T653MS10BC8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T653MS10BC8-FT |
IDT71V256SA12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel