casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T651S12BF8
codice articolo del costruttore | 70T651S12BF8 |
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Numero di parte futuro | FT-70T651S12BF8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T651S12BF8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-CABGA (15x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T651S12BF8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T651S12BF8-FT |
70V3379S5BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3379S5BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S4BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S5BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3389S5BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3579S5BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3589S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel