casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T633S10BF
codice articolo del costruttore | 70T633S10BF |
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Numero di parte futuro | FT-70T633S10BF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T633S10BF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-CABGA (15x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T633S10BF-FT |
70T659S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3339S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3339S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel