casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T633S10BF8
codice articolo del costruttore | 70T633S10BF8 |
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Numero di parte futuro | FT-70T633S10BF8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T633S10BF8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-CABGA (15x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BF8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T633S10BF8-FT |
70V639S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3339S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3339S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S15BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S15BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel