casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70T631S10BF
codice articolo del costruttore | 70T631S10BF |
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Numero di parte futuro | FT-70T631S10BF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T631S10BF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (256K x 18) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.4V ~ 2.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 208-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 208-CABGA (15x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T631S10BF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70T631S10BF-FT |
70V7519S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7599S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7599S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7599S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V7599S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3519S200BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T659S10BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V639S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V657S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V659S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc