casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7014S12J
codice articolo del costruttore | 7014S12J |
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Numero di parte futuro | FT-7014S12J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7014S12J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 36Kb (4K x 9) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 12ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7014S12J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7014S12J-FT |
MT29F1G08ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel