casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR-FT |
M34D64-WMN6P
STMicroelectronics
M34D64-WMN6T
STMicroelectronics
M34D64-WMN6TP
STMicroelectronics
M93C46-MN6
STMicroelectronics
M93C46-MN6P
STMicroelectronics
M93C46-MN6T
STMicroelectronics
M93C46-MN6TP
STMicroelectronics
M93C46-WMN6
STMicroelectronics
M93C46-WMN6T
STMicroelectronics
M93C56-MN6P
STMicroelectronics
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel