casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 70125S55J8
codice articolo del costruttore | 70125S55J8 |
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Numero di parte futuro | FT-70125S55J8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70125S55J8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 18Kb (2K x 9) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70125S55J8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 70125S55J8-FT |
M58LW064D110ZA6
STMicroelectronics
MT29F1G08ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel