casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 7006S17G
codice articolo del costruttore | 7006S17G |
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Numero di parte futuro | FT-7006S17G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7006S17G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 17ns |
Tempo di accesso | 17ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 68-BPGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 68-PGA (29.46x29.46) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7006S17G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 7006S17G-FT |
S29GL01GT13TFNV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL02GS12TFSR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL02GS12YPCR29
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI023
Cypress Semiconductor Corp
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation