casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S29GL02GS12YPCR29
codice articolo del costruttore | S29GL02GS12YPCR29 |
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Numero di parte futuro | FT-S29GL02GS12YPCR29 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
S29GL02GS12YPCR29 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 120ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Wafer |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL02GS12YPCR29 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S29GL02GS12YPCR29-FT |
SM667GE2-AC
Silicon Motion, Inc.
SM667GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
SM667PE2-AC
Silicon Motion, Inc.
SM667PE4-AC
Silicon Motion, Inc.
SM668GE8-AC
Silicon Motion, Inc.
SM668GEA-AC
Silicon Motion, Inc.
SM668PE4-AC
Silicon Motion, Inc.
SM668PE8-AC
Silicon Motion, Inc.
SM668PEA-AC
Silicon Motion, Inc.
SM668PEB-ACS
Silicon Motion, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel