codice articolo del costruttore | 6A10-G |
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Numero di parte futuro | FT-6A10-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6A10-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R6, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-6 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A10-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6A10-G-FT |
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
PR1003L-T
Diodes Incorporated
PR1004GL-T
Diodes Incorporated
PR1004L-T
Diodes Incorporated
PR1005GL-T
Diodes Incorporated
PR1005L-T
Diodes Incorporated
PR1006GL-T
Diodes Incorporated
PR1007G-T
Diodes Incorporated
PR1007GL-T
Diodes Incorporated
PR1501S-T
Diodes Incorporated
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel