casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PR1007G-T
codice articolo del costruttore | PR1007G-T |
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Numero di parte futuro | FT-PR1007G-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PR1007G-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PR1007G-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PR1007G-T-FT |
1N4005G-T
Diodes Incorporated
1N4936-T
Diodes Incorporated
1N4001-B
Diodes Incorporated
UF1002-T
Diodes Incorporated
UF1006-T
Diodes Incorporated
1N4005-B
Diodes Incorporated
1N4006G-T
Diodes Incorporated
1N4935-T
Diodes Incorporated
MUR120-T
Diodes Incorporated
SB1100-T
Diodes Incorporated
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel