casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 6A08B-G
codice articolo del costruttore | 6A08B-G |
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Numero di parte futuro | FT-6A08B-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6A08B-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R6, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-6 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A08B-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 6A08B-G-FT |
PR1002L-T
Diodes Incorporated
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
PR1003L-T
Diodes Incorporated
PR1004GL-T
Diodes Incorporated
PR1004L-T
Diodes Incorporated
PR1005GL-T
Diodes Incorporated
PR1005L-T
Diodes Incorporated
PR1006GL-T
Diodes Incorporated
PR1007G-T
Diodes Incorporated
PR1007GL-T
Diodes Incorporated
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel