casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30ETH06-1PBF
codice articolo del costruttore | VS-30ETH06-1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30ETH06-1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-30ETH06-1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30ETH06-1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30ETH06-1PBF-FT |
VS-72HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HF120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-71HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HF120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-243NQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16FR120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25FR120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-120NQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-249NQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-123NQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel