casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / 55GN01MA-TL-E
codice articolo del costruttore | 55GN01MA-TL-E |
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Numero di parte futuro | FT-55GN01MA-TL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
55GN01MA-TL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Frequenza - Transizione | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
Guadagno | 10dB @ 1GHz |
Potenza - Max | 400mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-MCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
55GN01MA-TL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 55GN01MA-TL-E-FT |
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-256ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
EP4SGX530HH35C2ES
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
EP1S30F780C7
Intel