casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / 53J10RE
codice articolo del costruttore | 53J10RE |
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Numero di parte futuro | FT-53J10RE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 50 |
53J10RE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53J10RE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 53J10RE-FT |
WNC100FET
Ohmite
WHBR75FET
Ohmite
WNBR75FET
Ohmite
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
EP1K30TC144-3
Intel
XCVU065-2FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484T
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXEA9K2H40I3N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
A40MX02-1PL44
Microsemi Corporation