casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / H11G2W
codice articolo del costruttore | H11G2W |
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Numero di parte futuro | FT-H11G2W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11G2W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5300Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 1000% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 5µs, 100µs |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | - |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.3V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11G2W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H11G2W-FT |
CNY171300W
ON Semiconductor
CNY171TM
ON Semiconductor
CNY171W
ON Semiconductor
CNY172300W
ON Semiconductor
CNY172TM
ON Semiconductor
CNY172W
ON Semiconductor
CNY173300W
ON Semiconductor
CNY173TM
ON Semiconductor
CNY173W
ON Semiconductor
CNY174300W
ON Semiconductor
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel