casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / 409DMQ150
codice articolo del costruttore | 409DMQ150 |
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Numero di parte futuro | FT-409DMQ150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
409DMQ150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.03V @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 6mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PRM4 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM4 (Isolated) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
409DMQ150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 409DMQ150-FT |
STTH6002CPI
STMicroelectronics
STPS3045CP
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BYV52-200
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BYW99P-200
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STPS4045CP
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STPS6045CP
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STTH806TTI
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STPSC10TH13TI
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STPSC6TH13TI
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STPSC8TH13TI
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EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
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EP2AGX45DF25C6
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XC4028EX-3HQ208C
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LFXP20C-5F256C
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LFE2-12SE-6FN256C
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10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
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