casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYW99P-200
codice articolo del costruttore | BYW99P-200 |
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Numero di parte futuro | FT-BYW99P-200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW99P-200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-218-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-93 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW99P-200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW99P-200-FT |
MBRS2590CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS2590CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS25H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS3045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS3045CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS30H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS4060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS4060CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS6040CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel