casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 31DF6 A0G
codice articolo del costruttore | 31DF6 A0G |
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Numero di parte futuro | FT-31DF6 A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
31DF6 A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
31DF6 A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 31DF6 A0G-FT |
1N5820 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5822 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR304G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR307G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK12H45 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK12H60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1203 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1204 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1204HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation