casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S3M-E3/9AT
codice articolo del costruttore | S3M-E3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-S3M-E3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S3M-E3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S3M-E3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S3M-E3/9AT-FT |
S8CJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S8CM-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel