casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SK536-TB-E
codice articolo del costruttore | 2SK536-TB-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SK536-TB-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK536-TB-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 10mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK536-TB-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK536-TB-E-FT |
BBL4001-1E
ON Semiconductor
BBL4001
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Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
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5SGXMA7N2F45C3N
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
Intel