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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3313(Q)

Name: 2SK3313(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK3313(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (570 reviews)

Numero parte MFG: 2SK3313(Q)

quantità disponibile: 83140 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: 2SK3313(Q).pdf

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2SK3313(Q) specificazioni

codice articolo del costruttore	2SK3313(Q)
Numero di parte futuro	FT-2SK3313(Q)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2SK3313(Q) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2040pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220NIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3313(Q) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	2SK3313(Q)-FT

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