casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SK326800L
codice articolo del costruttore | 2SK326800L |
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Numero di parte futuro | FT-2SK326800L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK326800L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta), 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DL |
Pacchetto / caso | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK326800L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK326800L-FT |
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