casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTB6410ANT4G
codice articolo del costruttore | NTB6410ANT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NTB6410ANT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTB6410ANT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 76A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTB6410ANT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTB6410ANT4G-FT |
NTD4813NT4G
ON Semiconductor
NTD4815NHT4G
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NTD4815NT4G
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A54SX32-TQG144I
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XC4013XL-09PQ208C
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M7A3P1000-1FGG256I
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A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
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AGLP060V5-CS289
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10AX115N3F40I3SGES
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