codice articolo del costruttore | EKV550 |
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Numero di parte futuro | FT-EKV550 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EKV550 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EKV550 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EKV550-FT |
DMT6005LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6017LFV-7
Diodes Incorporated
DMTH3004LFGQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFVWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH8012LPSW-13
Diodes Incorporated
FDP2D3N10C
ON Semiconductor
SCTH90N65G2V-7
STMicroelectronics
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel