casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2695,T6F(M
codice articolo del costruttore | 2SD2695,T6F(M |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2695,T6F(M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2695,T6F(M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2695,T6F(M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2695,T6F(M-FT |
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1457(T6CNO,A,F)
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2SB1457(T6DW,F,M)
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2SB1457(TE6,F,M)
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2SB1457,T6TOTOF(J
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2SB1457,T6YMEF(M
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2SC1627A-O,PASF(M
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2SC1627A-Y,PASF(M
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2SC2229(TE6SAN1F,M
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2SC2229-O(MIT1F,M)
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XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
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10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation