codice articolo del costruttore | 2SD2014 |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2014 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2014 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 25W |
Frequenza - Transizione | 75MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2014 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2014-FT |
BD681
STMicroelectronics
BD678A
STMicroelectronics
2SD882
STMicroelectronics
BD135-16
STMicroelectronics
BD136-16
STMicroelectronics
BD139-10
STMicroelectronics
BD237
STMicroelectronics
BD677
STMicroelectronics
STT13005D
STMicroelectronics
STT13005D-K
STMicroelectronics
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation