casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD139-10
codice articolo del costruttore | BD139-10 |
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Numero di parte futuro | FT-BD139-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD139-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-32 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD139-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD139-10-FT |
BC338-16 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC338-25 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC338-40 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC546A B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC546B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC546C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC547C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC548A B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC548B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC548C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
Intel
10AX032E3F27I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEABN2F45C3N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel