casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1913S
codice articolo del costruttore | 2SD1913S |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1913S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1913S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 100mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92AP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1913S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1913S-FT |
BULT106D
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BD680A
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XA3S400A-4FGG400I
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ICE40LM4K-SWG25TR1K
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10M40DAF256I7G
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5SGSMD5K2F40C3N
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EP3SE260F1517C2
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5SGXEA5K3F35C4N
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Xilinx Inc.
APA450-FGG144
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