casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1816T-H
codice articolo del costruttore | 2SD1816T-H |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1816T-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1816T-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1816T-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1816T-H-FT |
2SA1962RTU
ON Semiconductor
NJW0302G
ON Semiconductor
FJA4213RTU
ON Semiconductor
2SC5200N(S1,E,S)
Toshiba Semiconductor and Storage
2STA1694
STMicroelectronics
2STC4467
STMicroelectronics
TIP35CP
STMicroelectronics
NJW0281G
ON Semiconductor
2STA1962
STMicroelectronics
2STA2120
STMicroelectronics
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel