casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1962RTU
codice articolo del costruttore | 2SA1962RTU |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1962RTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1962RTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 17A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 55 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 130W |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1962RTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1962RTU-FT |
BF422G
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BF423
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BF423G
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BF493S
ON Semiconductor
BF493SG
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MPS2222ARLRA
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MPS751RLRA
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LFXP2-5E-6TN144I
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XC3S1200E-5FT256C
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AGL600V5-FGG256I
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A54SX08A-2PQG208
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ICE40LP1K-QN84
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LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
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EPF10K50VBI356-4
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EPF10K30EQC208-2N
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